직무 · 삼성전자 / 공정기술
하이닉스, 삼전 둘다 이미 몇년 전에 메모리 공정에서도 HKMG 공정을 도입 한 걸로 아는데요. Gate Stack(HKMG)에서 Si-High K 사이 간 계면결함이 심한거는 알고 있는데, High-K (HfO2,HfSiO등) - Metal 사이에도 계면 결함 등의 이슈가 있나요??
2025.07.25
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삼전 공정기술과 하닉 양산기술 준비중입니다. 직무면접에서는 전공관련을 물어본다는데 완전 열역학같은 전공이론을 물어보시나요? 아니면 공정 위주로 질문하시나요??
보통 회사에서 지원자의 학부연구생 경험이 작성되어있는 경우 그 기간 증명을 요구하거나 증빙자료 첨부칸이 있나요? 10개월하고 1년했다고 하는 경우도 있나 해서 여쭤봅니다.
안녕하십니까 멘토님들 현재 지방대 화학공학부 4학년에 재학중인 남학생입니다. 먼저 현재까지 제 스펙은 -학점:4.2X/4.5 -양자점 합성 학부연구생 약 1년간 진행중 (합성 관련 특허 출원 1회) -교내 학술동아리 회장 역임 -교내 반도체 공정 연구 발표대회 우수상 수상 -교내 반도체 공정실습 2회 참가 내년 상반기 취업을 목표로 준비중인데 (삼성전자 공정기술, 장비사 CS 엔지니어 등) 직무 관련 경험이 없다고 생각하여 한국세라믹기술원에서 양자점합성을 직무로 하는 현장실습에 일단 합격했습니다. 문제는 교내에서 T.O가 떴던 현장실습중에 그나마 저와 관련있는 것이라 신청하긴 했는데 막상 합격하니 취업을 목표로 하는곳과의 직무와는 조금 결이 다른것 같기도 하고 현장실습이 방학+학기 연계라 이번달 말부터 올해 12월 말까지 오래 진행하여 올해 하반기 졸업예정자 공채를 준비하는데 지장이 갈까 고민됩니다. (+ 진주에 새로운 자취방도 구해야합니다)
삼전 공정기술과 하닉 양산기술 준비중입니다. 직무면접에서는 전공관련을 물어본다는데 완전 열역학같은 전공이론을 물어보시나요? 아니면 공정 위주로 질문하시나요??
보통 회사에서 지원자의 학부연구생 경험이 작성되어있는 경우 그 기간 증명을 요구하거나 증빙자료 첨부칸이 있나요? 10개월하고 1년했다고 하는 경우도 있나 해서 여쭤봅니다.
안녕하십니까 멘토님들 현재 지방대 화학공학부 4학년에 재학중인 남학생입니다. 먼저 현재까지 제 스펙은 -학점:4.2X/4.5 -양자점 합성 학부연구생 약 1년간 진행중 (합성 관련 특허 출원 1회) -교내 학술동아리 회장 역임 -교내 반도체 공정 연구 발표대회 우수상 수상 -교내 반도체 공정실습 2회 참가 내년 상반기 취업을 목표로 준비중인데 (삼성전자 공정기술, 장비사 CS 엔지니어 등) 직무 관련 경험이 없다고 생각하여 한국세라믹기술원에서 양자점합성을 직무로 하는 현장실습에 일단 합격했습니다. 문제는 교내에서 T.O가 떴던 현장실습중에 그나마 저와 관련있는 것이라 신청하긴 했는데 막상 합격하니 취업을 목표로 하는곳과의 직무와는 조금 결이 다른것 같기도 하고 현장실습이 방학+학기 연계라 이번달 말부터 올해 12월 말까지 오래 진행하여 올해 하반기 졸업예정자 공채를 준비하는데 지장이 갈까 고민됩니다. (+ 진주에 새로운 자취방도 구해야합니다)
답변 5
채택된 답변채택된 답변ChatGPT의 말: 지원자님 안녕하세요~! 말씀하신 대로, 삼성전자와 하이닉스 모두 DRAM 공정에 HKMG(High-K Metal Gate) 기술을 이미 도입한 상태입니다! 이 기술은 주로 게이트 누설 전류 감소와 셋업 타이밍 향상 등의 장점 때문에 채택되었는데요, 특히 미세화가 극도로 진행된 노드에서 기존 SiO₂ 기반 게이트 절연체로는 한계가 있기 때문이죠~ Gate Stack에서 Si와 High-K (HfO₂, HfSiO 등) 사이에 계면 결함이 문제가 되는 건 맞습니다! 이 계면에서는 트랩이 형성되기 쉬워서 소자의 신뢰성(Reliability)과 임계전압(Vt) 변동성에 영향을 줍니다~ 하지만! High-K와 Metal 사이도 완전히 자유로운 건 아니에요~ High-K와 Metal 사이에는 금속과 절연체 간의 계면 반응 또는 불균일한 결합 등이 발생할 수 있습니다. 대표적으로 금속 원소(Metal gate material)가 High-K 내부로 확산되거나, 반대로 Hf계 물질이 금속 쪽으로 퍼지는 문제가 생길 수 있고요~ 이런 경우에는 게이트 누설 전류가 증가하거나 EOT(equivalent oxide thickness) 제어에 어려움이 생기죠! 또한, Metal Gate의 선택에 따라 Work Function tuning이 어려워지기도 하고, 이로 인해 Vt control 문제가 발생하기도 해요~ 그래서 공정 엔지니어들은 TiN, TaN, Ru, Mo 같은 금속을 조합해 쓰면서도, 중간에 Buffer Layer(예: TiAlN 등)를 넣어 계면 안정성을 확보하거나, ALD와 같은 정밀한 증착기술로 계면 품질을 조절하고 있습니다~ 결론적으로! High-K와 Metal 사이에도 계면 결함이나 반응성 문제는 존재하고, 그로 인해 전기적 특성 저하나 신뢰성 저하로 이어질 수 있기 때문에, 이 계면의 제어도 매우 중요하답니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
